Санкт-Петербург. Группа исследователей из Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого совершила прорыв в области материаловедения.

Фото: freepik.com

Ученые разработали уникальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия — перспективного материала для электроники будущего.

Как сообщила пресс-служба Смольного, открытие было признано Научным советом отделения физических наук РАН важнейшим результатом 2025 года в области радиационной физики твердого тела.

Исследователи сумели объединить два ранее не сочетавшихся подхода, создав инструмент, который позволяет прогнозировать и минимизировать дефекты в материале при производстве микросхем.

Практическая ценность разработки крайне высока для отраслей, работающих в экстремальных условиях.

Новый метод открывает путь к созданию электронных компонентов на основе оксида галлия для космических аппаратов и систем на атомных электростанциях, где требуется устойчивость к мощному радиационному излучению.

Материал также перспективен для производства полупроводниковых переключателей, высокочувствительных фотодетекторов и датчиков нового поколения.

Ранее АБН24 сообщало, что в Петербурге и Ленобласти мошенники охотятся на туристов в соцсетях.